微细加工技术中的刻蚀工艺可分为干刻蚀和湿刻蚀两大类。
干刻蚀也被称为干法蚀刻,主要利用等离子束或气体束对材料表面进行轰击,从而达到刻蚀的目的,这种技术通常用于硅片微细加工,包括深反应离子刻蚀(DRIE)、原子层刻蚀(ALE)、离子束刻蚀(IBE)等,干刻蚀具有极高的分辨率和加工精度,能够制作出特征尺寸较小的结构,干刻蚀也存在设备成本高、工艺复杂等缺点。
湿刻蚀也被称为湿法腐蚀或湿蚀刻,主要通过化学方法实现材料的去除,它利用特定的化学溶液与被加工材料之间的化学反应来达成腐蚀或刻蚀效果,湿刻蚀技术包括化学机械平坦化研磨技术、等离子体刻蚀技术中的深反应离子刻蚀技术、以及特种加工技术中的电化学刻蚀等,湿刻蚀具有设备成本低、工艺简单、易于大面积加工等优点,但其分辨率和加工精度相对较低,湿刻蚀过程需要精确控制化学反应条件,以避免影响材料性能。
干刻蚀和湿刻蚀各具特点,适用于不同的应用场景和需求,在选择合适的刻蚀工艺时,需要考虑材料类型、加工精度、生产效率以及成本等因素。